ios中輸入偏置電流的示例分析

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輸入偏置電流Ib（Input Bias Current）

輸入偏置電流定義為：當運放的輸出直流電壓為零時，兩輸入端的偏置電流平均值。

輸入偏置電流對進行高阻信號放大、積分電路等對輸入阻抗有要求的地方有較大的影響。輸入偏置電流與制造工藝有一定關系，其中雙極型管的輸入偏置電流在±10nA~1μA之間；采用場效應管做輸入級的，輸入偏置電流一般低于1nA。

對于雙極性運放，該值離散性很大，但幾乎不受溫度影響；

而對于MOS型運放，該值是柵極漏電流，值很小，但受溫度影響較大。

輸入偏置電流Ib是由于運放兩個輸入級都有漏電流的存在（如上圖所示）

并且：

• 輸入偏置電流就定義這兩個電流的平均值

• 輸入失調電流就定義為兩個電流的差

輸入偏置電流的來源：

三極管：三極管線性工作時的基極電流

FET：輸入引腳ESD保護二極管的漏電流（FET的柵極電流很?。?/p>

輸入失調電流Ios（Input Offset Current）

輸入失調電流定義為：當運放的輸出直流電壓為零時，其兩輸入端偏置電流的差值。

輸入失調電流同樣反映了運放內部的電路對稱性，對稱性越好，輸入失調電流越小。

輸入失調電流是運放的一個十分重要的指標，特別是精密運放或是用于直流放大時。

輸入失調電流大約是輸入偏置電流的百分之一到十分之一。

輸入失調電流對于小信號精密放大或是直流放大有重要影響，特別是運放外部采用較大的電阻（例如10k或更大時），輸入失調電流對精度的影響可能超過輸入失調電壓對精度的影響。輸入失調電流越小，直流放大時中間零點偏移越小，越容易處理。所以對于精密運放是一個極為重要的指標。

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本文題目：ios中輸入偏置電流的示例分析
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