云服務(wù)器需求崩垮在即,存儲市場或迎來3年一次大逃殺

2022-10-06    分類: 網(wǎng)站建設(shè)

智能手機的崛起,逐漸取代PC成為DRAM產(chǎn)業(yè)的主流,加上消費性電子成為該產(chǎn)業(yè)的利基型應(yīng)用領(lǐng)域,這時候要掌握DRAM供需,以及價格走勢的難度都明顯大增。

這幾年更有云服務(wù)器需求崛起,大量消耗DRAM產(chǎn)出,可以觀察到,DRAM的應(yīng)用是十分多元化的。無論是供應(yīng)商的整合,或是終端應(yīng)用多元化,都讓DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)更為健康。

云服務(wù)器需求崩垮在即,存儲市場或迎來3年一次大逃殺

不過,今年下半年來自這些領(lǐng)域的需求動能開始明顯趨緩。

之前為了因應(yīng)需求涌入,上游國際存儲大廠陸續(xù)增加服務(wù)器DRAM的產(chǎn)出比重,然下半年起,需求端卻陸續(xù)有雜音出現(xiàn),包括之前DRAM供給吃緊之際,部分客戶為了保障拿貨無慮,出現(xiàn)重復(fù)下單(Overbooking)的跡象,在這幾個因素加乘影響,服務(wù)器DRAM價格后勢確實不容樂觀。

第四季各類DRAM需求明顯轉(zhuǎn)弱,現(xiàn)貨價低于合約價出現(xiàn)“死亡交叉”

根據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce指出,韓系大廠在第四季紛紛調(diào)降服務(wù)器DRAM的報價,估計第四季跌價達(dá)5%。這也是服務(wù)器DRAM漲價多時以來,第一次有明顯的轉(zhuǎn)弱訊號出現(xiàn),由于云服務(wù)器在這一波DRAM漲價潮中占有舉足輕重的地位,其需求轉(zhuǎn)弱,預(yù)計整個DRAM產(chǎn)業(yè)將在此形成反轉(zhuǎn)向下的拐點。

綜合手機用Mobile RAM、計算機PC DRAM、消費型電子Consumer DRAM,一直到云服務(wù)器應(yīng)用的Server DRAM價格都逐一轉(zhuǎn)為疲弱。TrendForce統(tǒng)計,第四季整體DRAM合約價擴大下跌至5%。

業(yè)內(nèi)人士分析,現(xiàn)貨市場價格從年初開始下跌,今年6月底正式低于合約價,目前現(xiàn)貨價格已經(jīng)低于合約價約10%,這種情況通常被稱為“死亡交叉”,對于產(chǎn)業(yè)供需走勢是不好的征兆,顯示未來合約價會再被現(xiàn)貨價逼著往下調(diào)。

英特爾處理器缺貨,PC和服務(wù)器陸續(xù)受影響,將沖擊存儲價格加大跌幅

下半年存儲價格轉(zhuǎn)弱的另一個原因,是英特爾新平臺Whiskey Lake缺貨,影響計算機業(yè)者的出貨,更進(jìn)一步影響到整個存儲產(chǎn)業(yè)的需求,沖擊存儲DRAM和NAND Flash的價格。

英特爾的處理器出現(xiàn)供貨不足,不僅是改良版的14 nm++,包括已量產(chǎn)半年多的14 nm+的Coffee Lake產(chǎn)品線也同樣是供給吃緊,因此對于整個計算機產(chǎn)業(yè)的出貨造成沖擊,預(yù)計明年才會紓解。

云服務(wù)器需求崩垮在即,存儲市場或迎來3年一次大逃殺

根據(jù)TrendForce對于PC DRAM第四季價格跌價的預(yù)估,原本幅度約2%,但受到英特爾供貨不足影響,PC DRAM的消耗量恐進(jìn)一步縮減,PC DRAM第四季價格跌幅將擴大。而同樣受到影響的還有NAND Flash芯片的價格。

在服務(wù)器產(chǎn)業(yè)也是一樣,籠罩在英特爾處理器缺貨的陰影下,若是PC和服務(wù)器的處理器芯片雙雙缺貨,對存儲價格是雪上加霜。

英特爾下半年原本是服務(wù)器新舊平臺轉(zhuǎn)換期,其Xeon可擴充系列處理器是基于Skylake-SP架構(gòu)設(shè)計,以此推出的Purley服務(wù)器平臺被業(yè)界視為是英特爾近十年來最重要的產(chǎn)品線,將取代Grantley平臺,專門為資料中心與網(wǎng)路基礎(chǔ)架構(gòu)所量身設(shè)計。

業(yè)界原本預(yù)期,今年下半正值英特爾服務(wù)器平臺從Grantley轉(zhuǎn)到新平臺Purley,眼看新舊平臺換機潮就要啟動,卻傳出英特爾產(chǎn)能不足的消息,未來這一波缺貨潮是否也會擴大蔓延到服務(wù)器領(lǐng)域,影響到整個服務(wù)器產(chǎn)業(yè)的出貨狀況,也令人擔(dān)心。

未來一年,是國內(nèi)自制存儲芯片問世的重要期

DRAM和NAND Flash芯片榮景已經(jīng)超過兩年,去年下半NAND Flash芯片因為3D NAND良率提升,開始導(dǎo)入大量生產(chǎn),導(dǎo)致價格率先疲軟,累積至今已經(jīng)下跌一年了,接棒是DRAM價格的走弱,都是反映半導(dǎo)體景氣周期的變動。

全球存儲價格反轉(zhuǎn)向下之際,正值國內(nèi)三大存儲陣營要開始試產(chǎn),包括生產(chǎn)DRAM的福晉建華、合肥長鑫,以及生產(chǎn)3D NAND芯片的長江存儲,這不但考驗存儲產(chǎn)業(yè)中長期的供需平衡、價格走勢,更考驗這三大陣營未來的營運走勢。

對比過往全球DRAM供應(yīng)商還是6~8家時,供給十分混亂,各家都相爭擴產(chǎn),加上應(yīng)用又過于集中于PC單一產(chǎn)業(yè),沒有其他應(yīng)用可以分擔(dān)產(chǎn)業(yè)淡季的沖擊,導(dǎo)致DRAM價格密集的波動劇烈。

但現(xiàn)在的供應(yīng)商已經(jīng)整合為三家,大家都節(jié)制擴產(chǎn),因此整個產(chǎn)業(yè)板塊已相對穩(wěn)健,這種2~3年才出現(xiàn)一次的價格反轉(zhuǎn)周期,其實反映著產(chǎn)業(yè)健康的輪動,是自然現(xiàn)象。

不過,未來國內(nèi)自制存儲芯片是蓄勢待發(fā),無庸置疑是全球最不確定的一個大變數(shù)。在產(chǎn)業(yè)政策的大力扶植下,無論是產(chǎn)能規(guī)劃、技術(shù)研發(fā)上都是傾全力投入,沒有研發(fā)成不成功的問題,只有何時量產(chǎn)的期待值,未來,國內(nèi)存儲大廠有機會在國際市場上成為一股新勢力,韓系、美系大廠將如何接招,也牽動全球存儲版圖的風(fēng)貌!

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