IDC數(shù)據(jù)中心：香港機(jī)房如何應(yīng)對(duì)電子腐蝕

事實(shí)就是分子氣體污染對(duì)IT及敏感類型含有電子設(shè)備的IDC數(shù)據(jù)中心是十分不友好的。

如今一直重復(fù)提及的被惡化的空氣質(zhì)量，是當(dāng)下最具威脅環(huán)境問(wèn)題之一。這次威脅中大部分原因是空氣中分子污染（AMC）和類似煙塵的大氣微粒所影響的。

在大家利用大量時(shí)間關(guān)注室外空氣調(diào)節(jié)時(shí)，也忽視辦公室的室內(nèi)空氣質(zhì)量（IAQ）。室內(nèi)空氣品質(zhì)的惡化讓我們重要的身體器官損壞外，也影響了日常工作機(jī)器的效能。這其中空氣分子污染是極具危害和破壞性的代表。

該在性質(zhì)上具有高度腐蝕性，是在附近的污染源出發(fā)，空調(diào)服務(wù)器機(jī)房數(shù)據(jù)中心/配電室、開關(guān)設(shè)備機(jī)房、過(guò)程控制和信號(hào)/控制室等很容易被氣體侵入。它們影響了過(guò)程控制設(shè)備的操作能力、可靠性和壽命。結(jié)果是微電子腐蝕和設(shè)備故障，進(jìn)而造成IDC數(shù)據(jù)中心中機(jī)器發(fā)生停機(jī)。

特別是電子元件，它由金屬和非金屬材料組成的復(fù)雜組合件，極易受腐蝕。不及時(shí)預(yù)防或者處理，電子部件就會(huì)被影響，可能表現(xiàn)如下：

膠片盤：儲(chǔ)存的信息可能當(dāng)場(chǎng)丟失。當(dāng)反應(yīng)發(fā)生時(shí)，伴著反應(yīng)產(chǎn)物不斷累加，那些未被腐蝕的數(shù)據(jù)磁道可能出現(xiàn)機(jī)械故障。

邊緣連接器：這些連接器位于電路板上，銅制品，或是鍍鎳銅基板上鍍金。被腐蝕易導(dǎo)致連接器點(diǎn)中斷這樣數(shù)據(jù)傳輸將被終止。另外磁盤驅(qū)動(dòng)器也極易受到電子腐蝕。

綜上，分子氣體污染物對(duì)IT和敏感電子設(shè)備十分不利的。含硫氣體，如二氧化硫（SO2）和硫化氫（H2S）都屬于是引起電子設(shè)備腐蝕的最常見(jiàn)氣體。SO2和H2S單獨(dú)出現(xiàn)對(duì)銀、銅不會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)腐蝕性。一旦和NO2、臭氧等氣體相遇就會(huì)產(chǎn)生極大破壞性。銅的腐蝕速率是相對(duì)濕度的而已，而銀的腐蝕速率對(duì)濕度的依賴性不大。不重視腐蝕性氣體和污染物對(duì)員工健康也不利。

尤其是德里NCR、德里、孟買等一些工業(yè)城鎮(zhèn)地區(qū)的IDC數(shù)據(jù)中心被氣體污染物的影響的可能更大。室外微粒和氣體污染物的滲透很容易造成有害環(huán)境，IDC數(shù)據(jù)中心也最易受到腐蝕。當(dāng)IDC數(shù)據(jù)中心設(shè)施靠近加工工業(yè)、下水道/排水溝、高密度交通、垃圾填埋場(chǎng)等附近，腐蝕問(wèn)題會(huì)更明顯。

綜上，IDC數(shù)據(jù)設(shè)備和服務(wù)器的要想避免任何潛在的污染威脅，維持良好健康和持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵之一，就是關(guān)注腐蝕氣相的過(guò)濾，需要將充滿污染的氣流通過(guò)放置在適當(dāng)設(shè)計(jì)的外殼中的干燥介質(zhì)層。

另外IDC數(shù)據(jù)中心空氣凈化器（DAP）是保護(hù)數(shù)據(jù)中心的理想方式。它的獨(dú)特設(shè)計(jì)，通過(guò)吸附和化學(xué)吸附過(guò)程，有效去除空氣中的氣體，防止腐蝕性氣體損壞硬件。這有助于保護(hù)數(shù)據(jù)中心免受電子腐蝕和突然故障的威脅。

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