如何解決MRAM壽命問題

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MRAM是一種非易失性磁性隨機(jī)存儲器。它擁有SRAM存儲芯片的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)DRAM的高集成度，并可以無限次地重復(fù)寫入。MRAM工作的基本原理與硬盤驅(qū)動器類似，與在硬盤上存儲數(shù)據(jù)一樣，數(shù)據(jù)以磁性的方商為依據(jù)，存儲為0或1。它存儲的數(shù)據(jù)具有永久性，直到被外界的磁場影響，才會改變這個磁性數(shù)據(jù)。因為運(yùn)用磁性薦儲數(shù)據(jù)，所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。本篇文章由專注于代理銷售Everspin MRAM等存儲芯片供應(yīng)商介紹如何解決MRAM壽命問題。
 
在高密度MRAM模塊中會遇到磁介質(zhì)的不規(guī)則漩渦，這種漩渦引起了磁極的老化，甚至導(dǎo)致讀寫錯誤。這也就是說，MRAM的壽命和穩(wěn)定性會隨著MRAM容量的增加而面臨嚴(yán)峻的考驗。為此VERTICAL RING GMRCELLS技術(shù)（垂直環(huán)繞巨磁阻單元）臨危授命，很明顯VRGC讓磁層有了軟硬之分。大家可不要小看這一簡單的變化，這樣垂直排列的巨磁阻會將不規(guī)則漩渦基本消除，很有效地解決了MRAM的老化問題。此外為了加強(qiáng)MRAM的穩(wěn)定性，避免讀寫錯誤，VRGC技術(shù)在每一基本單元額外加入了一對平行字符線，這有點類似目前普遍應(yīng)用于服務(wù)器內(nèi)存的校驗功能。

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