磁阻式隨機存儲器MRAM基本原理是什么

磁阻式隨機存儲器MRAM基本原理是什么，相信很多沒有經(jīng)驗的人對此束手無策，為此本文總結(jié)了問題出現(xiàn)的原因和解決方法，通過這篇文章希望你能解決這個問題。

目前創(chuàng)新互聯(lián)已為超過千家的企業(yè)提供了網(wǎng)站建設(shè)、域名、虛擬空間、成都網(wǎng)站托管、企業(yè)網(wǎng)站設(shè)計、華坪網(wǎng)站維護等服務(wù)，公司將堅持客戶導(dǎo)向、應(yīng)用為本的策略，正道將秉承"和諧、參與、激情"的文化，與客戶和合作伙伴齊心協(xié)力一起成長，共同發(fā)展。

MRAM與傳統(tǒng)的隨機存儲器的區(qū)別在于MRAM的信息攜帶者是磁性隧道結(jié)(MTJ ),而后者則是電荷。每一個磁性隧道結(jié)包含一個固定層和一個自由層。固定層的磁化方向被固定了,而自由層的磁化方向可以由旋轉(zhuǎn)力矩改變。當(dāng)兩層的磁化方向一致時,磁性隧道結(jié)的電阻最低,其狀態(tài)為“0”;反之,則磁性隧道結(jié)的電阻最高,其狀態(tài)為“1”
 
最常用的MRAM單元的結(jié)構(gòu)是由一個NMOS晶體管和一個MTJ(作為記憶元件)組成。MTJ與NMOS順序連接。NMOS晶體管由字線信號控制,讀取數(shù)據(jù)時,NMOS開啟，位線和源線間加一小的電壓差,使電流流過MTJ ,其大小由MTJ的狀態(tài)決定。讀出放大器將該電流與參考電流比較，判斷MRAM單元里存儲的數(shù)據(jù)是“O”還是“1”。寫入數(shù)據(jù)時,若寫入“O”，則在位線和源線之間加一個較大的正電壓;若寫入“1”,則加負電壓。使MTJ翻轉(zhuǎn)的最小電流稱為閾值電流,與隧道勢壘層材料、寫入持續(xù)時間和MTJ的幾何結(jié)構(gòu)等因素有關(guān)。傳統(tǒng)高速緩存結(jié)構(gòu),由H-tree連接起來,其行列數(shù)目和尺寸可以使用CACTI工具來進行優(yōu)化。

看完上述內(nèi)容，你們掌握磁阻式隨機存儲器MRAM基本原理是什么的方法了嗎？如果還想學(xué)到更多技能或想了解更多相關(guān)內(nèi)容，歡迎關(guān)注創(chuàng)新互聯(lián)行業(yè)資訊頻道，感謝各位的閱讀！

本文名稱：磁阻式隨機存儲器MRAM基本原理是什么
轉(zhuǎn)載來源：http://muchs.cn/article20/gphico.html

成都網(wǎng)站建設(shè)公司_創(chuàng)新互聯(lián)，為您提供微信公眾號、網(wǎng)站收錄、全網(wǎng)營銷推廣、網(wǎng)站策劃、網(wǎng)站營銷、網(wǎng)站排名

廣告

聲明：本網(wǎng)站發(fā)布的內(nèi)容（圖片、視頻和文字）以用戶投稿、用戶轉(zhuǎn)載內(nèi)容為主，如果涉及侵權(quán)請盡快告知，我們將會在第一時間刪除。文章觀點不代表本網(wǎng)站立場，如需處理請聯(lián)系客服。電話：028-86922220；郵箱：631063699@qq.com。內(nèi)容未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載，或轉(zhuǎn)載時需注明來源： 創(chuàng)新互聯(lián)